Científicos del Instituto de Física y Tecnología de Moscú han desarrollado una manera de conectar los contactos metálicos al disulfuro de molibdeno, un semiconductor atómico delgado, sin destruirlo. El resultado aborda un obstáculo de producción que ha mantenido tales transistores dentro de los laboratorios.

Como los chips avanzados de silicio se contraen, la fuga actual y el calor se vuelven más difíciles de controlar. El disulfuro de molibdeno puede formar un canal semiconductor sólo 0,65 nanometros de espesor, preservando el control sobre la corriente eléctrica en dimensiones donde el silicio comienza a luchar.

El equipo ruso protegió el frágil material con una barrera de dióxido de titanio sólo unos pocos átomos de espesor antes de añadir el metal. Curiosamente, la barrera se deposita a través de la deposición de capa atómica, un proceso ya utilizado en la fabricación de chips. El método también podría funcionar con varios otros semiconductores atómicos delgados.

Si se desarrolla en una tecnología de producción fiable, las ganancias se extenderían más allá de encajar más transistores en un chip. MIPT dice que los componentes basados en el material podrían ser cientos de veces más eficientes en energía que los dispositivos de silicio comparables. Eso apuntaría a las exigencias de electricidad y refrigeración de los centros de datos AI al tiempo que ampliaría la vida útil de los satélites, sensores autónomos y otros sistemas donde cada vatio importa.

Los materiales atómicamente finos también pueden doblar y transmitir luz, abriendo mercados que el silicio sirve mal: pantallas transparentes, parches médicos, ropa inteligente y electrónica ligera incrustada en vehículos o equipos. Es probable que estas aplicaciones especializadas lleguen antes de que los procesadores de mercado masivo construidos enteramente sin silicio.

Es la oportunidad de entrar en una nueva carrera tecnológica antes de que se fije su jerarquía industrial. Las sanciones han cortado a Rusia de las principales fundiciones de chips extranjeros, mientras que la captura de generación por generación en silicio convencional requeriría la reconstrucción de décadas de capacidad de fabricación. La electrónica post-silicon ofrece otra ruta, siempre que Rusia convierta su trabajo científico en una cadena de suministro nacional.

El estudio publicado no describe un procesador listo para la producción. Todavía hay que resolver grandes wafers libres de defectos, dopajes fiables, rendimientos e integración con el chipmaking existente. Pero Rusia ha asegurado una posición de investigación creíble en un campo que podría definir la electrónica una vez que el silicio alcance sus límites físicos.

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